算力中心建设：基建潮带动存储配套需求：全球范围内算力中心建设加速，2025 年国内规划建设超 100 个 AI 算力中心，每个算力中心需配备超 10 万片存储芯片，仅国内市场就将新增超 1000 万片存储芯片需求。吴老师强调，算力中心建设具有 “订单确定性强、交付周期长” 的特点，相关存储芯片企业将迎来 “连续 3-4 个季度的业绩高增”，这为操盘布局提供了清晰的时间窗口。
产能扩张周期长，短期供给缺口难缓解：存储芯片生产线建设周期长达 2-3 年，单条 12 英寸晶圆生产线投资超 100 亿美元，三星、美光、SK 海力士等国际巨头产能扩张谨慎。2023-2025 年全球存储芯片产能增速仅为 5%-8%，远低于需求增速（30%-40%）。吴老师操盘团队监测数据显示，2025 年 Q1 全球 DRAM 产能利用率达 95%，NAND Flash 产能利用率达 92%，均处于历史高位，推动存储芯片价格从 2024 年 Q3 触底回升，2025 年 DRAM 价格预计上涨 20%-30%，NAND Flash 价格预计上涨 15%-20%，直接增厚企业利润；
国产替代加速，国内企业迎来 “弯道超车”：在 “半导体自主可控” 政策支持下，国内存储芯片企业技术迭代与产能扩张速度超预期。长鑫存储 DDR5 内存产能从 2023 年的 3 万片 / 月提升至 2025 年 Q1 的 10 万片 / 月，良率从 65% 提升至 85%；长江存储 128 层 NAND Flash 产能占全球市场份额从 3% 提升至 8%，256 层产品已实现量产。吴老师指出，国产替代不仅带来 “市场份额提升”，更推动企业 “毛利率从 15% 提升至 35%”，这种 “量利齐升” 的标的，是操盘布局的核心选择。
北向资金重仓布局：截至 2025 年 Q1 末，北向资金持有 A 股存储芯片核心标的市值超 300 亿元，较 2024 年末增长 50%，其中长鑫存储、长江存储、江波龙等标的北向资金持仓占比超 5%，且呈现 “持续加仓” 态势；
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